Apakah perbezaan antara substrat silikon nitrida dan substrat?

Perbezaan utama antarasubstrat silikon nitridadan substrat ialah definisi, kegunaan dan ciri-cirinya. ‌

1. Definisi dan penggunaan

Substrat silikon nitrida:Substrat silikon nitridaadalah bahan seramik yang digunakan terutamanya dalam pembuatan peranti semikonduktor kuasa, terutamanya modul kuasa. Ia mempunyai kekonduksian haba yang tinggi, kekuatan mekanikal yang tinggi dan padanan haba yang baik, dan sesuai untuk senario aplikasi yang memerlukan kebolehpercayaan yang tinggi dan rintangan suhu tinggi. ‌Substrat‌: Substrat biasanya merujuk kepada struktur sokongan asas yang digunakan untuk pembuatan cip. Bahan substrat biasa termasuk wafer silikon kristal tunggal, substrat SOI, substrat SiGe, dsb. Pilihan substrat bergantung pada keperluan aplikasi tertentu, seperti litar bersepadu, mikropemproses, memori, dsb. ‌

2. Perbandingan ciri ‌

Substrat silikon nitrida‌ ‌

Kekonduksian terma yang tinggi‌: Kekonduksian terma silikon nitrida adalah setinggi 80 W/m·K atau lebih, yang sesuai untuk keperluan pelesapan haba peranti berkuasa tinggi. ‌Kekuatan mekanikal yang tinggi‌: Ia mempunyai kekuatan lentur yang tinggi dan keliatan patah yang tinggi, memastikan kebolehpercayaannya yang tinggi. ‌ ‌ Padanan pekali pengembangan terma ‌: Ia sangat serupa dengan substrat kristal SiC, memastikan padanan yang stabil antara kedua-duanya dan meningkatkan kebolehpercayaan keseluruhan ‌.

Substrat 

Pelbagai jenis ‌: Termasuk wafer silikon kristal tunggal, substrat SOI, substrat SiGe, dsb., setiap bahan substrat mempunyai medan aplikasi khusus dan kelebihan prestasi ‌.

‌Pelbagai kegunaan ‌: Digunakan untuk mengeluarkan pelbagai jenis cip dan peranti, seperti litar bersepadu, mikropemproses, memori, dsb. ‌.

3. Senario aplikasi

‌Silicon nitride substrate ‌: Digunakan terutamanya untuk peranti berkuasa tinggi dalam bidang seperti kenderaan tenaga baharu dan landasan pengangkutan moden. Oleh kerana prestasi pelesapan haba yang sangat baik, kekuatan mekanikal dan kestabilan, ia sesuai untuk keperluan kebolehpercayaan yang tinggi dalam persekitaran yang kompleks ‌.

‌Substrat ‌: Digunakan secara meluas dalam pelbagai pembuatan cip, dan aplikasi khusus bergantung pada jenis substrat. Sebagai contoh, wafer silikon kristal tunggal digunakan secara meluas dalam pembuatan litar bersepadu dan mikropemproses, substrat SOI sesuai untuk litar bersepadu berprestasi tinggi, kuasa rendah, dan substrat SiGe digunakan untuk transistor bipolar heterojunction dan litar isyarat campuran, dsb.